DMPI Dominion D-Serie | Hohlleiter-Prüfspitzen
Kleinste Strukturen, höchste Frequenzen: Die präzise Kontaktierung direkt auf dem Wafer macht anspruchsvolle mmWave- und THz-Messungen möglich.
- ✓ Frequenzbereich: 140 GHz bis 1.1 THz
- ✓ Probe Pitch: 25–100 µm
- ✓ Kontaktwiderstand: typ. < 0.04 Ω (Gold)
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Hohlleiter-Prüfspitzen für On-Wafer- und S-Parameter-Messungen
DMPI Dominion D-Serie - HF-Bauteile im Millimeterwellen- und THz-Bereich kontaktieren
Bei S-Parameter-Messungen an MMICs und anderen HF-Halbleiterbauteilen kommt es auf einen verlustarmen Übergang vom Wafer zum Messsystem an. Hier setzen die Dominion D-Serie Waveguide Probes an: Die Hohlleiter-Prüfspitzen kontaktieren GSG-Kontaktflächen direkt auf dem Wafer und führen das HF-Signal zum Messsystem. Ihre geringe Einfügedämpfung hält die Signalverluste bei hohen Frequenzen niedrig.
Je nach Hohlleiterband reichen die Messfrequenzen von 140 GHz bis 1,1 THz. Modellabhängige GSG-Kontaktabstände von 25 bis 100 µm erlauben die Kontaktierung auch bei dicht liegenden Messpunkten.
Frequenzband, GSG-Pitch und Bauform aufeinander abstimmen
Welches Modell passt, hängt zunächst vom benötigten Frequenzbereich ab. Für jedes Hohlleiterband stehen bestimmte GSG-Kontaktabstände und Bauformen zur Verfügung. Der GSG-Pitch muss zu den Kontaktflächen auf dem Wafer passen. Ob eine S-, T- oder kompakte C-Ausführung infrage kommt, hängt außerdem von der mechanischen Aufnahme der Probe Station ab. Für Messungen über einen größeren Frequenzbereich stehen Dual-Band-Prüfspitzen bis 170 bzw. 220 GHz zur Verfügung.
Bei den Dual-Band-Prüfspitzen übernimmt ein integrierter Diplexer die Aufteilung der Signale: Niedrigere Frequenzen werden über den koaxialen Anschluss übertragen, höhere über den Hohlleiteranschluss. So lassen sich durchgehende Frequenz-Sweeps durchführen, sofern der verwendete VNA und die Frequenzerweiterungsmodule dafür ausgelegt sind.
Alternative Produkte
Während die Dominion D-Serie auf Hohlleitertechnik setzt, bietet die GGB PICOPROBE 40-110-Serie koaxiale Prüfspitzen für On-Wafer- und S-Parameter-Messungen bis 110 GHz. Damit lassen sich die Reflexions- und Übertragungseigenschaften von HF-Bauteilen direkt auf dem Wafer untersuchen – sowohl in der Entwicklung als auch bei Prüfungen in der Halbleiterfertigung.
Passende Produktbereiche
Stimmen Frequenzband, GSG-Pitch und Messaufbau?
Vermeiden Sie Fehlanpassungen bei der Auswahl Ihrer Hohlleiter-Prüfspitze. Klären Sie mit unseren HF-Experten, welche Dominion D-Serie zu Ihren Kontaktflächen, Ihrem Frequenzbereich und Ihrer Probe Station passt.
Varianten
Spezifikationen
| Frequenzbereich | 140 GHz bis 1,1 THz, modellabhängig |
|---|---|
| Breitband-Ausführungen | DC bis 170 GHz bzw. DC bis 220 GHz, abhängig von der Messsystemkonfiguration |
| Kontaktanordnung | Ground-Signal-Ground (GSG, Masse-Signal-Masse) |
| GSG-Kontaktabstand (Probe Pitch) | 25 bis 100 µm, modellabhängig |
| Hohlleitergrößen | WR5.1, WR4.3, WR3.4, WR2.8, WR2.2, WR1.5 und WR1.0 |
| Bauformen | S-Type (kurz), T-Type (hoch) und C-Type (kompakt), abhängig vom Frequenzband |
| Einfügedämpfung | typ. 1,5 bis 8,0 dB, abhängig von Frequenzband und Ausführung |
| Rückflussdämpfung | typ. 13 bis 15 dB, abhängig von Frequenzband und Ausführung |
| Kontaktwiderstand | typ. unter 0,04 Ω bei Kontaktierung von Gold bzw. unter 0,30 Ω bei Kontaktierung von Aluminium |
Optionen & Zubehör
| DC-Bias-Tee | Optional integriert, mit GPPO-Anschluss zur Gleichspannungseinspeisung am Prüfling |
|---|
Lieferumfang
| Gerät(e) der DMPI-D-Serie |
Anwendungen
| On-Wafer-Messungen | Elektrische Charakterisierung integrierter HF-Schaltungen und Halbleiterbauteile direkt auf dem Wafer |
|---|---|
| S-Parameter-Messungen | Bestimmung der Übertragungs- und Reflexionseigenschaften mit einem Vektor-Netzwerkanalysator (VNA) |
| MMIC-Charakterisierung | Messungen an monolithisch integrierten Mikrowellenschaltungen |
| Millimeterwellen- und THz-Messtechnik | Charakterisierung von Bauteilen im Millimeter- und Submillimeterwellenbereich |
| Breitbandige Netzwerkanalyse | Frequenzdurchläufe mit kompatiblen Dual-Band-Messsystemen |
| Messungen an aktiven HF-Bauteilen | Charakterisierung unter angelegter Gleichspannung mit optional integriertem DC-Bias-Tee |
| Halbleiterentwicklung | Ermittlung elektrischer Kenngrößen für Bauteilmodelle und Process Design Kits (PDKs) |